昨天   2026-09-01   星期二

三星公布下一代存储器战略：HBM5 性能目标提升至 HBM4E 两倍

三星电子 DS 部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡 1 日公布了三星下一代存储器战略。三星电子目前极在开发 HBM5，目标是相比 HBM4E 将性能提升 2 倍、每瓦性能提升 20%，同时将热阻降低 20%，以满足 AI 芯片对高性能和低功耗的需求。面向 HBM5 之后的 zHBM，三星计划进一步提升性能。三星提出的目标是，z 极 BM 相比 HBM4 极性能提升 8 倍、每瓦性能提升 3 倍，同时将热阻降低 75% 至 90%。（新浪财经）