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软银(SoftBank)与英特尔宣布成立合资公司Saimemory,主要开发适用于AI的堆叠式动态随机存取存储器(DRAM)原型,目标是在两年内将功耗降低50%,同时实现与高带宽内存(HBM)相当的性能表现。
摘要
当前多数AI处理器依赖HBM存储大量临时数据,但HBM存在制造复杂、成本高、功耗大及发热快等痛点。为解决这些问题,软银与英特尔联合东京大学等机构,依托日本学术机构的专利技术成立Saimemory。
双方将向Saimemory投资7000万美元,其中软银初期注资约30亿日元并成为最大股东。
Saimemory的核心技术方向是DRAM堆叠技术,通过优化内部布线效率,目标使功耗较HBM降低最多50%。该技术基于英特尔与美国国防部合作开发的成果。与三星、NEO Semiconductor等企业聚焦提升单芯片容量的3D堆叠DRAM路线不同,Saimemory更侧重低功耗和低成本,计划利用东京大学的“高速大数据交换技术”进一步压缩成本。
软银布局此举旨在优先获取适配自有数据中心的高效能AI内存芯片,其此前已与OpenAI合作启动“Stargate”项目,计划在美国建设AI数据中心,尽管尚不确定Saimemory的产品是否会应用于该项目,但其对低功耗内存的需求与合资公司目标高度契合。英特尔则试图通过此次合作重返内存市场,打破当前三星、SK海力士、美光三足鼎立的HBM市场格局。
Nikkei消息,软银(SoftBank)与英特尔宣布成立合资公司Saimemory。
主要开发适用于AI的堆叠式动态随机存取存储器原型,目标是在两年内将功耗降低50%,同时实现与高带宽内存相当的性能表现。
当前多数AI处理器依赖HBM存储大量临时数据,因其带宽优势显著,但存在制造复杂、成本高、功耗大及发热快等痛点。为解决这些问题,软银与英特尔联合东京大学等机构,依托日本学术机构的专利技术成立Saimemory。
双方将向该公司投资7000万美元,其中软银初期注资约30亿日元并成为最大股东。
Saimemory的核心技术方向是DRAM堆叠技术,通过优化内部布线效率,目标使功耗较HBM降低最多50%。该技术基于英特尔与美国国防部合作开发的成果。与三星、NEO Semiconductor等企业聚焦提升单芯片容量的3D堆叠DRAM路线不同,Saimemory更侧重低功耗和低成本——前者计划利用东京大学的“高速大数据交换技术”进一步压缩成本。
软银布局此举旨在优先获取适配自有数据中心的高效能AI内存芯片。其此前已与OpenAI合作启动“Stargate”项目,计划在美国建设AI数据中心,尽管尚不确定Saimemory的产品是否会应用于该项目,但其对低功耗内存的需求与合资公司目标高度契合。
英特尔则试图通过此次合作重返内存市场。作为全球首个商用DRAM芯片的推出者,英特尔曾在20世纪80年代中期因市场竞争退出该领域,后续虽通过NAND和SSD业务维持参与,但相关业务已分别出售给SK海力士和停止开发。
随着AI驱动的内存需求激增,技术媒体CapacityMedia指出,若Saimemory的HBM替代方案得以普及,英特尔有望打破当前三星、SK海力士、美光三足鼎立的HBM市场格局。
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文章作者:AIGC开放社区
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